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512 Kbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF512
Data Sheet
Table 10: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
Parameter
V DD Min to Read Operation
Minimum
10
Units
μs
T PU-WRITE
1
V DD Min to Write Operation
10
μs
T10.0 25076
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 11: Capacitance (T A = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C OUT1
Description
Output Pin Capacitance
Test Condition
V OUT = 0V
Maximum
12 pF
C IN
1
Input Capacitance
V IN = 0V
6 pF
T11.0 25076
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 12: Reliability Characteristics
Symbol
N END1
T DR1
I LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
10,000
100
100 + I DD
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T12.1 25076
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
20
DS25076A
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